基片置于合適的位置是獲得均勻薄膜的前提條件.

b、壓強的大小. 為了保證膜層質(zhì)量,壓強應盡可能低Pr≦(Pa)

L表示蒸發(fā)源到基片的距離為L(cháng)(cm)。

c、蒸發(fā)速率.蒸發(fā)速率小時(shí),沉積的膜料原子(或分子)上立刻吸附氣體分子,因而形成的膜層結構疏松,顆粒粗大,缺陷多;反之,膜層結構均勻致密,機械強度高,膜層內應力大.

d、基片的溫度.在通常情況下,基片溫度高時(shí),吸附原子的動(dòng)能隨之增大,形成的薄膜容易結晶化,并使晶格缺陷減少;基片溫度低時(shí),則沒(méi)有足夠大的能量供給吸附原子,因而容易形成無(wú)定形態(tài)薄膜.

磁控濺射是70年代在陰極濺射的基礎上發(fā)展起來(lái)的一種新型濺射鍍膜法,由于它有效地克服了陰極濺射速率低和電子使基片溫度升高的致命弱點(diǎn),因此獲得了迅速的發(fā)展和廣泛的應用.

1. 磁控濺射:

離子轟擊靶材將靶面原子擊出的現象稱(chēng)為濺射.濺射產(chǎn)生的原子沉積在基體(工件)表面即實(shí)現濺射鍍膜.

磁控濺射的基本原理:

磁控濺射是在濺射區加了與電場(chǎng)方向垂直的磁場(chǎng),處于正交電場(chǎng)區E和磁場(chǎng)B中的電子的運動(dòng)方程,

濺射技術(shù):

濺射技術(shù)按產(chǎn)生等離子體的方式可分為:

a. 利用直流輝光放電的二極濺射;

b. 利用熱絲弧光放電的三極濺射;

c. 利用射頻放電的射頻濺射;

d. 利用封閉跑道磁場(chǎng)控制輝光放電的磁控濺射.

2 磁控濺射陰極結構:

目前工業(yè)用磁控濺射裝置主要是采用矩形平面磁控濺射陰極(圖a),一般使用的靶材尺寸有兩種規格: VT機:長(cháng)×寬×厚(450.5×120×6)mm; ZCK機: 460×100×6.圓柱形磁控濺射陰極也逐步運用到生產(chǎn)當中(圖b),兩者相比,平面靶材的利用率只有20~30%,即利用率低.